IGW60T120
fabrikant:
Infineon Technologies
Categorie:
Halfgeleiders
specificaties
Draad-emitter lekstroom::
Na 600
Productcategorie::
IGBT-transistors
Montage-stijl::
Door het gat
Continu collectie-stroom bij 25 ° C::
100 A
Pd - Machtsdissipatie::
375 W
Verzamelaar-emitter Spanning VCEO Max::
1200 V
Verpakking / doos::
TO-247-3
Maximale werktemperatuur::
+ 150 °C
Maximale spanning van de poortemperator::
5.8 V
Verpakking::
Buis
Configuratie::
Alleenstaande
Voltage van de verzamelaar-emitter::
2.3 V
Vervaardiger::
Infineon Technologies
Inleiding
De IGW60T120, van Infineon Technologies, zijn IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: