IGW15T120
fabrikant:
Infineon Technologies
Beschrijving:
IGBT-transistors met laag verlies IGBT-technologie 1200V 15A
Categorie:
Halfgeleiders
specificaties
Draad-emitter lekstroom::
Na 100
Productcategorie::
IGBT-transistors
Montage-stijl::
Door het gat
Continu collectie-stroom bij 25 ° C::
30 A
Pd - Machtsdissipatie::
110 W
Verzamelaar-emitter Spanning VCEO Max::
1200 V
Verpakking / doos::
TO-247-3
Maximale werktemperatuur::
+ 150 °C
Maximale spanning van de poortemperator::
+/- 20 V
Verpakking::
Buis
Configuratie::
Alleenstaande
Voltage van de verzamelaar-emitter::
2.2 V
Vervaardiger::
Infineon Technologies
Inleiding
De IGW15T120, van Infineon Technologies, zijn IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: