IMD6AT108
fabrikant:
ROHM halfgeleider
Categorie:
Halfgeleiders
specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten
Transistors
Bipolair (BJT)
Bipolaire transistorarrays, voorgevoelig
Stroom - collector (Ic) (max):
100 mA
Productstatus:
Actief
Type transistor:
1 PNP-pre-biased, 1 NPN
Frequentie - Overgang:
250 MHz
Montage-type:
Oppervlakte
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Reeks:
-
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):
50 V
Verpakking van de leverancier:
SMT6
Resistor - basis (R1):
4.7 kOhms
Mfr:
ROHM halfgeleider
Resistor - basis van de zender (R2):
-
Stroom - collectievergrens (maximaal):
500 nA (ICBO)
Vermogen - Max.:
300 mW
Pakket / doos:
SC-74, DRONKAARD-457
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Basisproductnummer:
IMD6
Inleiding
Bipolaire transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA 250MHz 300mW
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: