NHUMD9X
fabrikant:
Nexperia USA Inc.
Categorie:
Halfgeleiders
specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten
Transistors
Bipolair (BJT)
Bipolaire transistorarrays, voorgevoelig
Stroom - collector (Ic) (max):
100 mA
Productstatus:
Actief
Type transistor:
1 NPN, 1 PNP - Voorafgesplitst (dubbel)
Frequentie - Overgang:
170 MHz, 150 MHz
Montage-type:
Oppervlakte
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Snijdband (CT)
Digi-Reel®
Reeks:
Automobilerij, AEC-Q101
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic:
100mV @ 500μA, 10mA
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):
80 V
Verpakking van de leverancier:
6-TSSOP
Resistor - basis (R1):
10kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Resistor - basis van de zender (R2):
47 kOhms
Stroom - collectievergrens (maximaal):
100nA
Vermogen - Max.:
350mW
Pakket / doos:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 5V
Basisproductnummer:
NHUMD9
Inleiding
Bipolaire transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 80V 100mA 170MHz, 150MHz 350mW
Gerelateerde producten
PUMD48.115
PBLS4003D,115
PQMH13Z
PUMD10,115
PUMD12/DG/B4X
PUMD17,115
PUMD15,115
NHUMH1X
PEMB10,115
PUMH1/DG/B3,115
NHUMB9F
PEMH14,115
PEMD4.115
NHUMB11F
PUMH2/DG/B3,115
PUMH13,115
PUMH9.125
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: